LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上一代LPDDR4X相比，LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%*。LPDDR5芯片加入了强大的RAS功能，通过内置纠错码（On-die ECC）等技术，实现实时纠错，减少系统故障，确保数据安全，增强稳定性。LPDDR5芯片预计也将赋能更多移动设备，满足数字时代日益增长的存储需求。 *基于LPDDR4X的对比，其中功耗为内部测试数据

DDR4内存芯片是第四代双倍速率同步动态随机存储器。相较于上一代DDR3内存芯片，DDR4内存芯片拥有更快的数据传输速率、更稳定的性能和更低的功耗。长鑫科技集团自主研发的DDR4内存芯片能够满足市场需求，广泛应用于办公、居家、休闲娱乐等众多场景，为云服务、 物联网等多种设备和产品赋能，带给用户更加出众的使用体验。

LPDDR4X内存芯片是第四代超低功耗双倍速率同步动态随机存储器，采用了包括LVSTL 低功耗接口在内的多项降低功耗的产品设计。LPDDR4X内存芯片相较于第三代有更高的传输速率和更出色的功耗表现，是高性能、长续航移动设备的最佳选择。LPDDR4X内存芯片兼具大容量、高速度、高带宽和超低功耗的特点，不仅为智能手机、智能穿戴等移动设备提供更加稳定流畅的体验，还给高分辨率显示、虚拟现实、5G等技术的普及提供更多可能。

DDR4模组是第四代高速内存模组，相较于DDR3 模组，性能和带宽显著提升，最高速率可达3200Mbps。DDR4模组是目前内存模组市场的主流产品，可服务于电脑、服务器等产品。多种类型的DDR4模组灵活可选，适配各种行业应用。原厂内存颗粒的品质、宽温级别的可靠，使得DDR4模组能够适用各类严苛的工业场景。DDR4模组高容量、高带宽的优秀表现助力数字经济的发展。